| 型號: | CY7C1418AV18-300BZC |
| 廠商: | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類: | DRAM |
| 英文描述: | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述: | 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝: | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù): | 14/28頁 |
| 文件大小: | 456K |
| 代理商: | CY7C1418AV18-300BZC |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1418AV18-300BZI | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1418AV18-300BZXC | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1418AV18-300BZXI | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1420AV18-167BZC | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1420AV18-167BZI | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1418AV18-300BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1418BC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1418BV18-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1418BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1418BV18-250BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mx18 DDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |