參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1418AV18-250BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 24/28頁(yè)
文件大小： 456K
代理商： CY7C1418AV18-250BZXC
CY7C1416AV18
CY7C1427AV18
CY7C1418AV18
CY7C1420AV18
Document Number: 38-05616 Rev. *D
Page 24 of 28
Switching Waveforms
[28, 29, 30]
Notes:
28.Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, i.e., A0 + 1.
29.Output are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
30.In this example, if address A2 = A1,then data Q20 = D10 and Q21 = D11. Write data is forwarded immediately as read results. This note applies to the whole diagram.
READ
2
READ
8
READ
3
NOP
4
NOP
5
WRITE
7
WRITE
6
NOP
1
9
10
Q40
tKHCH
tCO
t
tHC
t
tHA
tSD
tHD
tKHCH
tSD
tHD
DON’T CARE
UNDEFINED
tCLZ
tDOH
tCHZ
SC
tKH
tKHKH
tKL
tCYC
A0
D20
D21
D30
D31
Q00
Q11
Q01
Q10
A1
A2
A3
A4
Q41
tCCQO
tCQOH
tCCQO
tCQOH
tKL
tCYC
K
K
LD
R/W
A
DQ
C
C#
CQ
CQ#
SA
tKH
tKHKH
t
CQD
t
CQDOH
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1418AV18-250BZXI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418AV18-278BZC 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418AV18-278BZI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418AV18-278BZXC 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418AV18-278BZXI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1418AV18-267BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418AV18-267BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418AV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418AV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418BC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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