參數資料
型號: CY7C1414AV18-250BZXC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述: 1M X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數: 4/25頁
文件大?。?/td> 1021K
代理商: CY7C1414AV18-250BZXC
CY7C1410AV18
CY7C1425AV18
CY7C1412AV18
CY7C1414AV18
Document #: 38-05615 Rev. *D
Page 4 of 25
Pin Configurations
CY7C1410AV18 (4M x 8)
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TMS
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165-Ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout
CY7C1425AV18 (4M x 9)
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TDI
TMS
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相關PDF資料
PDF描述
CY7C1414AV18-250BZXI 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1416AV18-278BZI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418AV18-167BZI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418AV18-167BZXC 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418AV18-167BZXI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關代理商/技術參數
參數描述
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CY7C1414BV18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1414BV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1414BV18-200BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray