參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1414AV18-250BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 1M X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 15/25頁(yè)
文件大?。?/td> 1021K
代理商： CY7C1414AV18-250BZXC
CY7C1410AV18
CY7C1425AV18
CY7C1412AV18
CY7C1414AV18
Document #: 38-05615 Rev. *D
Page 15 of 25
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range
[11, 12]
TAP Timing and Test Conditions
[12]
Parameter
t
TCYC
t
TF
t
TH
t
TL
Setup Times
t
TMSS
t
TDIS
t
CS
Hold Times
t
TMSH
t
TDIH
t
CH
Output Times
t
TDOV
t
TDOX
Description
Min
50
Max
Unit
ns
MHz
ns
ns
TCK Clock Cycle Time
TCK Clock Frequency
TCK Clock HIGH
TCK Clock LOW
20
20
20
TMS Setup to TCK Clock Rise
TDI Setup to TCK Clock Rise
Capture Setup to TCK Rise
5
5
5
ns
ns
ns
TMS Hold after TCK Clock Rise
TDI Hold after Clock Rise
Capture Hold after Clock Rise
5
5
5
ns
ns
ns
TCK Clock LOW to TDO Valid
TCK Clock LOW to TDO Invalid
10
ns
ns
0
Notes:
11.t
and t
refer to the setup and hold time requirements of latching data from the boundary scan register.
12.Test conditions are specified using the load in TAP AC test conditions. t
R
/t
F
= 1 ns.
(a)
TDO
C
L
= 20 pF
Z
0
= 50
GND
0.9V
50
1.8V
0V
ALL INPUT PULSES
0.9V
Test Clock
TCK
Test Mode Select
TMS
Test Data-In
TDI
Test Data-Out
TDO
t
TCYC
t
TMSH
t
TL
t
TH
t
TMSS
t
TDIS
t
TDIH
t
TDOV
t
TDOX
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1414AV18-250BZXI 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1416AV18-278BZI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418AV18-167BZI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418AV18-167BZXC 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418AV18-167BZXI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1414AV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx36 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1414AV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx36 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1414BV18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx36 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1414BV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx36 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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