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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1413AV18 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata |
| 中文描述： | RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR-二勘誤表 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | CY7C1413AV18 |
Document #: 001-06217 Rev. *C
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Document History Page
Document Title: RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
Document #: 001-06217 Rev. *C
Issue
Date
**
419849
See ECN
*A
493936
See ECN
REV.
ECN NO.
Orig. of
Change
REF
QKS
Description of Change
New errata for Ram9 QDR2/DDR2 SRAMs.
Added Output buffer and JTAG mode issues, Item#2 and #3
Added 9Mb QDR-II Burst of 2 and QDR-1/DDR-I part numbers.
Added missing part numbers in the title for Spec#’s 38-05615,38-05614,
38-05363,38-05563 on Table 5 on page 7.
Updated the fix status of the three issues, and modified the description for
the Output Buffer workaround for x9 devices on page 5.
*B
733176
See ECN
NJY
*C
1030020
See ECN
TBE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1415AV18 | RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata |
| CY7C1416AV18 | RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata |
| CY7C1417AV18 | RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata |
| CY7C1418AV18 | RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata |
| CY7C1419AV18 | RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1413AV18-167BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.5ns 165-Pin FBGA |
| CY7C1413AV18-167BZCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 36MBIT 2MX18 0.5NS 165FBGA - Bulk |
| CY7C1413AV18-167BZXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1413AV18-167BZXI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1413AV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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