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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1394BV18-250BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 512K X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 4/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 446K |
| 代理商： | CY7C1394BV18-250BZC |
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CY7C1392BV18
CY7C1992BV18
CY7C1393BV18
CY7C1394BV18
Document Number: 38-05623 Rev. *C
Page 4 of 27
Pin Configurations
CY7C1392BV18 (2M x 8)
2
3
A
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CQ
Q3
D3
NC
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NC/36M
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LD
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TDI
TMS
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CY7C1992BV18 (2M x 9)
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BWS
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TDO
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CQ
Q3
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TDI
TMS
A
165-ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1394BV18-250BZI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-250BZXC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-250BZXI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-278BZC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-278BZI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1399-12VC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Single 3.3V 256K-Bit 32K x 8 12ns 28-Pin SOJ 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:R ASSET CODE/B REV - Bulk |
| CY7C139912ZC | 制造商:CYP 功能描述:* |
| CY7C1399-12ZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1399-15VC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Single 3.3V 256K-Bit 32K x 8 15ns 28-Pin SOJ 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| CY7C139915VI | 制造商:CYPRESS 功能描述:* |
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