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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1382CV25-225BGI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
| 中文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 11/33頁 |
| 文件大小： | 537K |
| 代理商： | CY7C1382CV25-225BGI |
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CY7C1380CV25
CY7C1382CV25
PRELIMINARY
Document #: 38-05240 Rev. *A
Page 11 of 33
Notes:
5.
The SRAM always initiates a read cycle when ADSP asserted, regardless of the state of GW, BWE, or BW
.
Writes may occur only on subsequent clocks after
the ADSP or with the assertion of ADSC. As a result, OE must be driven HIGH prior to the start of the write cycle to allow the outputs to three-state. OE is a
“
don't care
”
for the remainder of the write cycle.
OE is asynchronous and is not sampled with the clock rise. It is masked internally during write cycles. During a read cycle DQ = High-Z when OE is inactive or
when the device is deselected, and DQ = data when OE is active.
6.
Write Cycle Descriptions
[1, 5, 6]
Function (1380CV25)
GW
BWE
BWd
BWc
BWb
BWa
Read
1
1
X
X
X
X
Read
1
0
1
1
1
1
Write Byte 0
–
DQa
1
0
1
1
1
0
Write Byte 1
–
DQb
1
0
1
1
0
1
Write Bytes 1, 0
1
0
1
1
0
0
Write Byte 2
–
DQc
1
0
1
0
1
1
Write Bytes 2, 0
1
0
1
0
1
0
Write Bytes 2, 1
1
0
1
0
0
1
Write Bytes 2, 1, 0
1
0
1
0
0
0
Write Byte 3
–
DQd
1
0
0
1
1
1
Write Bytes 3, 0
1
0
0
1
1
0
Write Bytes 3, 1
1
0
0
1
0
1
Write Bytes 3, 1, 0
1
0
0
1
0
0
Write Bytes 3, 2
1
0
0
0
1
1
Write Bytes 3, 2, 0
1
0
0
0
1
0
Write Bytes 3, 2, 1
1
0
0
0
0
1
Write All Bytes
1
0
0
0
0
0
Write All Bytes
0
X
X
X
X
X
Function (1382CV25)
GW
BWE
BWb
BWa
Read
1
1
X
X
Read
1
0
1
1
Write Byte 0
–
DQ
[7:0]
and DP
0
1
0
1
0
Write Byte 1
–
DQ
[15:8]
and DP
1
1
0
0
1
Write All Bytes
1
0
0
0
Write All Bytes
0
X
X
X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1382CV25-225BZC | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
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參數(shù)描述 |
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| CY7C1382D-167AXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 3.4NS TQFP100 |
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| CY7C1382D-200AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx18 3.3V COM 1CD Sync PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1382D-200AXCT | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
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