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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1382CV25-200BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
| 中文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 3 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 18/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 537K |
| 代理商： | CY7C1382CV25-200BZC |
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CY7C1380CV25
CY7C1382CV25
PRELIMINARY
Document #: 38-05240 Rev. *A
Page 18 of 33
Identification Register Definitions
Instruction Field
Revision Number
(31:28)
Cypress Device ID
(27:24)
Device Type
(23:18)
Device Width and Density
(17:12)
Cypress JEDEC ID
(11:0)
512K x 36
0100
1M x 18
0100
Description
Reserved for version number
1011
1011
Reserved for internal use
000000
000000
Defines memory type and architecture
100101
010101
Defines width and density
000001101001
000001101001
Allows unique identification of SRAM
vendor
Scan Register Sizes
Register Name
Bit Size (x18)
Bit Size (x36)
Instruction
3
3
Bypass
1
1
ID
32
32
Boundary Scan
51
70
Identification Codes
Instruction
Code
Description
EXTEST
000
Captures the Input/Output ring contents. Places the boundary scan register
between the TDI and TDO. Forces all SRAM outputs to High-Z state. This
instruction is not 1149.1 compliant.
Loads the ID register with the vendor ID code and places the register be-
tween TDI and TDO. This operation does not affect SRAM operation.
Captures the Input/Output contents. Places the boundary scan register be-
tween TDI and TDO. Forces all SRAM output drivers to a High-Z state.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Captures the Input/Output ring contents. Places the boundary scan register
between TDI and TDO. Does not affect the SRAM operation. This instruction
does not implement 1149.1 preload function and is therefore not 1149.1
compliant.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Places the bypass register between TDI and TDO. This operation does not
affect SRAM operation.
IDCODE
001
SAMPLE Z
010
RESERVED
SAMPLE/PRELOAD
011
100
RESERVED
RESERVED
BYPASS
101
110
111
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1382CV25-200BZI | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
| CY7C1382CV25-225AC | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
| CY7C1382CV25-225AI | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
| CY7C1382CV25-225BGC | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
| CY7C1382CV25-225BGI | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1382D-167AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 3.3V COM 1CD Sync PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1382D-167AXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 3.4NS TQFP100 |
| CY7C1382D-167AXCT | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CY7C1382D-200AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 3.3V COM 1CD Sync PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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