參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1380C
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM
中文描述： 18 MB的（為512k × 36/1M × 18）流水線的SRAM
文件頁數(shù)： 25/36頁
文件大?。?/td> 788K
代理商： CY7C1380C
CY7C1380C
CY7C1382C
Document #: 38-05237 Rev. *D
Page 25 of 36
I
SB3
Automatic CE
Power-down
Current—CMOS Inputs
V
DD
= Max, Device Deselected, or
V
IN
≤
0.3V or V
IN
> V
DDQ
– 0.3V
f = f
MAX
= 1/t
CYC
4.0-ns cycle, 250 MHz
4.4-ns cycle, 225 MHz
5.0-ns cycle, 200 MHz
6.0-ns cycle, 167 MHz
7.5-ns cycle, 133 MHz
All speeds
105
100
95
85
80
80
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB4
Automatic CE
Power-down
Current—TTL Inputs
V
DD
= Max, Device Deselected,
V
IN
≥
V
IH
or V
IN
≤
V
IL
, f = 0
Shaded areas contain advance information.
Notes:
12.Overshoot: V
(AC) < V
+1.5V (Pulse width less than t
/2), undershoot: V
(AC) > -2V (Pulse width less than t
CYC
/2).
13.TPower-up: Assumes a linear ramp from 0v to V
DD
(min.) within 200ms. During this time V
IH
< V
DD
and V
DDQ
< V
DD\
Thermal Resistance
[14]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
Test conditions follow standard
test methods and procedures
for measuring thermal
impedence, per EIA / JESD51.
TQFP
Package
31
BGA
Package
45
fBGA
Package
46
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Θ
JC
6
7
3
°
C/W
Capacitance
[14]
Parameter
Description
Test Conditions
TQFP
Package
BGA
Package
fBGA
Package
Unit
C
IN
Input Capacitance
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 3.3V.
V
DDQ
= 2.5V
5
8
9
pF
C
CLK
Clock Input Capacitance
5
8
9
pF
C
I/O
Input/Output Capacitance
5
8
9
pF
Notes:
14.Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[12, 13]
(continued)
Parameter
Description
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1380C-167BZC 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM
CY7C1380C-167BZI 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM
CY7C1380D 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM(18-Mb (512K x 36/1M x 18)管道式SRAM)
CY7C1381D 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381D-100AXC 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1380C-133AC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 100LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
CY7C1380C-150AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:16MB (512KX36) 3.3V SYNC-PIPE (SINGLE CYCLE DESELECT) SRAM - Bulk
CY7C1380C-167AC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 100LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
CY7C1380C-167BGC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1380C-167BGCT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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