參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1370D-225BGC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
中文描述: 512K X 36 ZBT SRAM, 2.8 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
文件頁(yè)數(shù): 5/30頁(yè)
文件大?。?/td> 344K
代理商: CY7C1370D-225BGC
PRELIMINARY
CY7C1370D
CY7C1372D
Document #: 38-05555 Rev. *A
Page 5 of 30
Pin Configurations
(continued)
2
A
A
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6
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A
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E(288)
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E(36)
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A
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DQ
b
DQ
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OE
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CY7C1372D (1M × 18) – fBGA
CY7C1370D (512K × 36) – fBGA
165-Ball fBGA Pinout
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1370D-250AXI 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1370D-250BGC 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1370D-250BGI 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1370D-250BZC 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1370D-250BZI 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1370D-250AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 3.3V NoBL Sync PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1370D-250AXCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 3.3V NoBL Sync PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1370D-250AXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mbit Pipeline 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 w/ NoBL RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1370D-250BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 512KX36 2.6NS 165FBGA - Bulk
CY7C1370DV25-167 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: