- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379066 > CY7C1355C-100BZI (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1355C-100BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| 中文描述： | 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 10/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 496K |
| 代理商： | CY7C1355C-100BZI |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁當(dāng)前第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁
PRELIMINARY
CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. **
Page 10 of 33
.
Interleaved Burst Address Table
(MODE = Floating or V
DD
)
.
Linear Burst Address Table
(MODE = GND)
First
Address
A1: A0
00
01
10
11
Second
Address
A1: A0
01
00
11
10
Third
Address
A1: A0
10
11
00
01
Fourth
Address
A1: A0
11
10
01
00
First
Address
A1: A0
00
01
10
11
Second
Address
A1: A0
01
10
11
00
Third
Address
A1: A0
10
11
00
01
Fourth
Address
A1: A0
11
00
01
10
ZZ Mode Electrical Characteristics
Parameter
I
DDZZ
t
ZZS
t
ZZREC
t
ZZI
t
RZZI
Description
Test Conditions
ZZ > V
DD
– 0.2V
ZZ > V
DD
– 0.2V
ZZ < 0.2V
This parameter is sampled
This parameter is sampled
Min.
Max.
35
2t
CYC
Unit
mA
ns
ns
ns
ns
Sleep mode standby current
Device operation to ZZ
ZZ recovery time
ZZ active to sleep current
ZZ Inactive to exit sleep current
2t
CYC
2t
CYC
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1355C-117AC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1355C-117AI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1355C-117BGC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1355C-117BGI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1355C-117BZC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1355C-133AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1355C-133AXCKJ | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1355C-133AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1355C-133AXI | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1355C-133AXIT | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。