- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄379066 > CY7C1355C-100BGI (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture PDF資料下載
參數資料
| 型號： | CY7C1355C-100BGI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| 中文描述： | 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119 |
| 文件頁數： | 6/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 496K |
| 代理商： | CY7C1355C-100BGI |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁當前第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁
PRELIMINARY
CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. **
Page 6 of 33
Pin Configurations
(continued)
165-ball fBGA (3 Chip enable with JTAG)
CY7C1355C (256K x 36)
4
5
BW
B
BW
C
BW
D
BW
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
NC
V
SS
TDI
A
2
A
3
6
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
TDO
NC / 288M
NC
DQP
C
DQ
C
DQ
C
D
NC
NC
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
CE
1
CE2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
CE
3
CLK
V
SS
V
SS
V
SS
CEN
A
DQ
C
DQ
C
MODE
NC
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
NC
DQ
D
DQ
D
DQ
D
NC
DQ
D
NC / 36M
NC / 72M
WE
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
V
SS
V
SS
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TCK
A
A1
V
SS
TMS
8
9
A
10
A
11
NC
NC
ADV/LD
OE
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
NC / 18M
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
NC / 144M
DQP
B
DQ
B
NC
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
ZZ
NC
A
DQ
B
DQ
B
NC
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
DQ
A
DQ
A
DQP
A
A
A
A
A
A0
CY7C1357C (512K x 18)
5
NC
2
A
3
4
6
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
TDO
NC / 288M
NC
NC
NC
DQP
B
NC
NC
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
CE
1
CE2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
CE
3
CLK
V
SS
V
SS
V
SS
BW
B
NC
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
CEN
A
NC
NC
MODE
NC
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC / 36M
NC / 72M
BW
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
WE
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
V
SS
V
SS
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TDI
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TCK
A
NC
A1
TMS
8
9
A
10
A
11
A
NC
ADV/LD
OE
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
NC / 18M
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
NC / 144M
DQP
A
DQ
A
NC
NC
DQ
A
DQ
A
DQ
A
ZZ
NC
A
NC
NC
NC
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
NC
NC
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
NC
NC
NC
A
A
A
NC
A
A0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1355C-100BZC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1355C-100BZI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1355C-117AC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1355C-117AI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1355C-117BGC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CY7C1355C-133AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1355C-133AXCKJ | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1355C-133AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1355C-133AXI | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1355C-133AXIT | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。