參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1354CV25-167BGC
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
中文描述: 9兆位(256 × 36/512K × 18)流水線的SRAM的總線延遲,TM架構(gòu)
文件頁(yè)數(shù): 23/25頁(yè)
文件大?。?/td> 353K
代理商: CY7C1354CV25-167BGC
PRELIMINARY
CY7C1354CV25
CY7C1356CV25
Document #: 38-05537 Rev. *B
Page 23 of 25
Package Diagrams
(continued)
51-85115-*B
119-Lead BGA (14 x 22 x 2.4mm) BG119
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1354CV25-167BGI 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1354CV25-167BGXC 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1354CV25-167BGXI 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1354CV25-167BZC 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1354CV25-167BZI 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1354CV25-200AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 2.5V NoBL Sync PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1354CV25-200AXCT 功能描述:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:NoBL™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1354CV25-200BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:CY7C1354CV25 9 Mb (256 K x 36) 200 MHz 2.5 V Pipelined SRAM - BGA-165 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:CY7C1354CV25 9 Mb (256 K x 36) 200 MHz 2.5 V Pipelined SRAM - FBGA-165
CY7C1354CV25-200CKJ 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1354D-200BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SYNC SRAMS - Trays 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 165FBGA