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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1354C-200BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| 中文描述： | 256K X 36 ZBT SRAM, 3.2 ns, PBGA165 |
| 封裝： | (13 X 15 X 1.4) MM, PLASTIC, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 13/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 467K |
| 代理商： | CY7C1354C-200BZC |
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CY7C1354C
CY7C1356C
Document #: 38-05538 Rev. *G
Page 13 of 28
3.3V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels................................................ V
SS
to 3.3V
Input rise and fall times................................................... 1 ns
Input timing reference levels...........................................1.5V
Output reference levels...................................................1.5V
Test load termination supply voltage...............................1.5V
3.3V TAP AC Output Load Equivalent
2.5V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels.................................................V
SS
to 2.5V
Input rise and fall time .....................................................1 ns
Input timing reference levels.........................................1.25V
Output reference levels ................................................1.25V
Test load termination supply voltage ............................1.25V
2.5V TAP AC Output Load Equivalent
TDO
1.5V
20pF
Z = 50
50
TDO
1.25V
20pF
Z = 50
50
TAP DC Electrical Characteristics And Operating Conditions
(0°C < TA < +70°C; V
DD
= 3.3V ±0.165V unless otherwise noted)
[12]
Parameter
Description
V
OH1
Output HIGH Voltage
Test Conditions
Min.
2.4
2.0
2.9
2.1
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
I
OH
= –4.0 mA, V
DDQ
= 3.3V
I
OH
= –1.0 mA, V
DDQ
= 2.5V
I
OH
= –100 μA
V
OH2
Output HIGH Voltage
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
OL1
Output LOW Voltage
I
OL
= 8.0 mA
0.4
0.4
0.2
0.2
V
OL2
Output LOW Voltage
I
OL
= 100 μA
V
IH
Input HIGH Voltage
2.0
1.7
–0.3
–0.3
–5
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
0.7
5
V
IL
Input LOW Voltage
I
X
Input Load Current
GND < V
IN
< V
DDQ
Identification Register Definitions
Instruction Field
Revision Number (31:29)
Cypress Device ID (28:12)
[13]
Cypress JEDEC ID (11:1)
ID Register Presence (0)
CY7C1354C
000
01011001000100110
00000110100
1
CY7C1356C
000
01011001000010110 Reserved for future use.
00000110100
Allows unique identification of SRAM vendor.
1
Indicate the presence of an ID register.
Description
Reserved for version number.
Notes:
12.All voltages referenced to V
(GND).
13.Bit #24 is “1” in the Register Definitions for both 2.5V and 3.3V versions of this device.
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