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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1354C-200AXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| 中文描述： | 256K X 36 ZBT SRAM, 3.2 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 22/28頁 |
| 文件大小： | 467K |
| 代理商： | CY7C1354C-200AXI |
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CY7C1354C
CY7C1356C
Document #: 38-05538 Rev. *G
Page 22 of 28
27.Device must be deselected when entering ZZ mode. See cycle description table for all possible signal conditions to deselect the device.
28.I/Os are in High-Z when exiting ZZ sleep mode.
ZZ Mode Timing
[27, 28]
Switching Waveforms
(continued)
tZZ
I
SUPPLY
CLK
ZZ
tZZREC
ALL INPUTS
(except ZZ)
DON’T CARE
IDDZZ
tZZI
tRZZI
Outputs (Q)
High-Z
DESELECT or READ Only
[+] Feedback
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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