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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1318AV18 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(18-Mb DDR-II SRAM（2-Word Burst結(jié)構(gòu)）) |
| 中文描述： | 18兆位的DDR - II SRAM的2字突發(fā)架構(gòu)（18 - MB的的DDR - II SRAM的（2字突發(fā)結(jié)構(gòu)）） |
| 文件頁數(shù)： | 3/20頁 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | CY7C1318AV18 |
CY7C1316AV18
CY7C1318AV18
CY7C1320AV18
Document #: 38-05499 Rev. *B
Page 3 of 20
Pin Configurations
CY7C1316AV18 (2M × 8)—11 × 15 FBGA
4
5
BWS
1
R/W
A
NC
V
SS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
DD
V
DDQ
V
DD
V
DDQ
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DD
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DDQ
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SS
V
SS
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SS
A
V
SS
A
A
A
A
2
3
A
6
K
K
A
7
1
A
B
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D
E
F
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H
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M
N
P
R
A
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
V
SS
/72M
NC
NC
NC
NC
BWS
0
A
V
SS
NC
NC
NC
DQ4
NC
DQ5
NC
NC
TDO
NC
NC
NC
V
REF
NC
DQ6
NC
NC
NC
TCK
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
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A
C
V
SS
V
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SS
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DD
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
DQ7
A
V
DD
V
SS
A
A
C
V
DD
8
9
A
10
11
CQ
DQ3
NC
NC
NC
V
SS
/36M
NC
NC
NC
NC
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
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DDQ
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DDQ
V
DDQ
V
DDQ
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DDQ
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DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQ2
NC
NC
ZQ
NC
NC
NC
NC
V
REF
DQ1
NC
NC
NC
NC
DQ0
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDI
TMS
A
CY7C1318AV18 (1M × 18)—11 × 15 FBGA
2
3
A
4
5
6
K
K
A0
V
SS
V
SS
7
1
A
B
C
D
E
F
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L
M
N
P
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A
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
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NC
V
SS
/72M
DQ9
NC
NC
BWS
1
NC
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
R/W
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC
BWS
0
A
V
SS
NC
NC
DQ10
DQ11
NC
DQ13
NC
NC
TDO
NC
DQ12
NC
V
REF
NC
DQ15
NC
NC
NC
TCK
NC
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
C
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
V
DDQ
NC
DQ14
NC
NC
DQ16
DQ17
A
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
V
DD
V
SS
A
A
C
A
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A
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11
CQ
DQ8
NC
NC
DQ0
V
SS
/36M
NC
DQ7
NC
NC
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
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DDQ
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DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQ6
DQ5
NC
ZQ
NC
NC
NC
NC
V
REF
DQ4
NC
NC
DQ1
DQ3
DQ2
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDI
TMS
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1316AV18 | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1316AV18-167BZC | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1318AV18-200BZC | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1318AV18-250BZC | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1320AV18-167BZC | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1318AV18-167BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| CY7C1318AV-200BZCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1318BV18-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1318BV18-200BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V IND DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1318BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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