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參數資料
| 型號： | CY7C1318AV18 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(18-Mb DDR-II SRAM（2-Word Burst結構）) |
| 中文描述： | 18兆位的DDR - II SRAM的2字突發(fā)架構（18 - MB的的DDR - II SRAM的（2字突發(fā)結構）） |
| 文件頁數： | 18/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 228K |
| 代理商： | CY7C1318AV18 |
CY7C1316AV18
CY7C1318AV18
CY7C1320AV18
Document #: 38-05499 Rev. *B
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Boundary Scan Order
(continued)
Bit #
Bump ID
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1316AV18 | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1316AV18-167BZC | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1318AV18-200BZC | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1318AV18-250BZC | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1320AV18-167BZC | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CY7C1318AV18-167BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| CY7C1318AV-200BZCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1318BV18-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1318BV18-200BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V IND DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1318BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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