參數(shù)資料
型號: CY7C1305V25
英文描述: Memory
中文描述: 內(nèi)存
文件頁數(shù): 9/9頁
文件大?。?/td> 194K
代理商: CY7C1305V25
CY7C1019B/
CY7C10191B
Document #: 38-05026 Rev. *A
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Document Title: CY7C1019B/CY7C10191B 128K x 8 Static RAM
Document Number: 38-05026
REV.
ECN NO.
Issue Date
Orig. of Change
Description of Change
**
109949
09/25/01
SZV
Change from Spec number: 38-01115 to 38-05026
*A
116170
08/14/02
HGK
1. SOJ (400-mil) package outline replacing incorrect
SOJ package
2. Pin for pin compatible with CY7C1019
3. Industrial packages added to Ordering Information
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1306V25 Memory
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CY7C131 Memory
CY7C1310V18 Memory
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1306CV25-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512x36 QDR Burst2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1308BV25-167BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256KX36 2.5V DDR SRAM (4-WORD BURST) - Bulk
CY7C1308DV25-250BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256KX36 2.5V DDR SRAM (4-WORD BURST) - Bulk
CY7C1308DV25C-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256Kx36 2.5V DDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1308DV25C-167BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256Kx36 2.5V DDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray