參數(shù)資料
型號： CY7C1305V25
英文描述： Memory
中文描述： 內(nèi)存
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 194K
代理商： CY7C1305V25
CY7C1019B/
CY7C10191B
Document #: 38-05026 Rev. *A
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Write Cycle No. 1 (CE Controlled)[12, 13]
Write Cycle No. 2 (WE Controlled, OE HIGH During Write)[12, 13]
Notes:
12. Data I/O is high impedance if OE = VIH.
13. If CE goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high-impedance state.
14. During this period the I/Os are in the output state and input signals should not be applied.
Switching Waveforms (continued)
tWC
DATA VALID
tAW
tSA
tPWE
tHA
tHD
tSD
tSCE
CE
ADDRESS
WE
DATA I/O
tHD
tSD
tPWE
tSA
tHA
tAW
tSCE
tWC
tHZOE
DATAIN VALID
CE
ADDRESS
WE
DATA I/O
OE
NOTE 14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1306V25 Memory
CY7C1307V25 Memory
CY7C131 Memory
CY7C1310V18 Memory
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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CY7C1308DV25C-167BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Kx36 2.5V DDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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