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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1256V18-300BZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 2/28頁 |
| 文件大小： | 1042K |
| 代理商： | CY7C1256V18-300BZXI |
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CY7C1241V18
CY7C1256V18
CY7C1243V18
CY7C1245V18
Document Number: 001-06365 Rev. *C
Page 2 of 28
Logic Block Diagram (CY7C1241V18)
Logic Block Diagram (CY7C1256V18)
1
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[7:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
Q
[7:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
16
20
8
32
8
NWS
[1:0]
V
REF
W
Write
Reg
16
A
(19:0)
20
1
1
1
Write
Reg
Write
Reg
Write
Reg
8
CQ
CQ
DOFF
QVLD
1
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[8:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[0]
Q
[8:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
18
20
9
36
9
V
REF
W
Write
Reg
18
A
(19:0)
20
1
1
1
Write
Reg
Write
Reg
Write
Reg
9
CQ
CQ
DOFF
QVLD
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1246V18 | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1250V18-300BZXI | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1250V18-333BZC | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1250V18-333BZI | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1250V18-333BZXC | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1262XV18-366BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 366MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1262XV18-450BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C12631KV18-400BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb X 18 400MHz QDR-II+ 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1263KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1263KV18-400BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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