參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1256V18-300BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
中文描述： 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 17/28頁
文件大小： 1042K
代理商： CY7C1256V18-300BZXC
CY7C1241V18
CY7C1256V18
CY7C1243V18
CY7C1245V18
Document Number: 001-06365 Rev. *C
Page 17 of 28
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range
[15, 16]
Parameter
Description
Min
Max
Unit
t
TCYC
t
TF
t
TH
t
TL
Setup Times
TCK Clock Cycle Time
50
ns
TCK Clock Frequency
20
MHz
TCK Clock HIGH
20
ns
TCK Clock LOW
20
ns
t
TMSS
t
TDIS
t
CS
Hold Times
TMS Setup to TCK Clock Rise
5
ns
TDI Setup to TCK Clock Rise
5
ns
Capture Setup to TCK Rise
5
ns
t
TMSH
t
TDIH
t
CH
Output Times
TMS Hold after TCK Clock Rise
5
ns
TDI Hold after Clock Rise
5
ns
Capture Hold after Clock Rise
5
ns
t
TDOV
t
TDOX
TCK Clock LOW to TDO Valid
10
ns
TCK Clock LOW to TDO Invalid
0
ns
TAP Timing and Test Conditions
[16]
t
TL
t
TH
(a)
TDO
C
L
= 20 pF
Z
0
= 50
GND
0.9V
50
1.8V
0V
ALL INPUT PULSES
0.9V
Test Clock
TCK
Test Mode Select
TMS
Test Data In
TDI
Test Data Out
TDO
t
TCYC
t
TMSH
t
TMSS
t
TDIS
t
TDIH
t
TDOV
t
TDOX
Notes
15.t
and t
refer to the set-up and hold time requirements of latching data from the boundary scan register.
16.Test conditions are specified using the load in TAP AC test conditions. t
R
/t
F
= 1 ns.
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1256V18-300BZXI 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1246V18 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1250V18-300BZXI 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1250V18-333BZC 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1250V18-333BZI 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1262XV18-366BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 366MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1262XV18-450BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C12631KV18-400BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb X 18 400MHz QDR-II+ 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1263KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1263KV18-400BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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