參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C123
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 256 x 4 Static RAM(256 x 4 靜態(tài) RAM)
中文描述： 256 × 4靜態(tài)RAM（256 × 4靜態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 138K
代理商： CY7C123
CY7C123
3
AC Test Loads and Waveforms
3.0V
5V
OUTPUT
R1 470
R2
224
20 pF
GND
90%
90%
10%
≤
3 ns
≤
3ns
C123–
4
5V
OUTPUT
C123–
3
R2
224
5 pF
(a)
(b)
OUTPUT
1.62V
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
R1 470
Equivalent to:
THé VENIN EQUIVALENT
10%
ALL INPUT PULSES
152
Switching Characteristics
Over the Operating Range
[3]
7C123–7
Min.
7C123–9
Min.
7C123–10
Min.
7C123–12
Min.
7C123–15
Min.
Parameter
Description
Max.
Max.
Max.
Max.
Max.
Unit
READ CYCLE
t
RC
t
AA
t
ACS
t
DOE
t
HZCS
t
HZOE
t
LZCS
t
LZOE
WRITE CYCLE
Read Cycle Time
7
9
10
12
15
ns
Address to Data Valid
7
9
10
12
15
ns
Chip Select to Data Valid
7
8
8
8
10
ns
OE LOW to Data Valid
Chip Select to High Z
[6,7]
OE HIGH to High Z
[6]
Chip Select to Low Z
[7]
7
8
8
8
10
ns
5
6
6
6.5
8
ns
5
6
6
6.5
8
ns
2
2
2
2
2
ns
OE LOW to Low Z
2
2
2
2
2
ns
t
WC
t
HZWE
t
LZWE
t
PWE
t
SD
t
HD
t
SA
t
HA
t
SCS
t
AW
Notes:
6.
Write Cycle Time
WE LOW to High Z
[6]
7
9
10
12
15
ns
5.5
6
6
7
8
ns
WE HIGH to Low Z
2
2
2
2
2
ns
WE Pulse Width
5
6.5
7
8
11
ns
Data Set-Up to Write End
5
6
7
8
11
ns
Data Hold from Write End
1
1
1
1
1
ns
Address Set-Up to Write Start
0.5
1
1
2
2
ns
Address Hold from Write End
1.5
1.5
2
2
2
ns
CS LOW to Write End
5
6.5
7
8
11
ns
Address Set-Up to Write End
5.5
7.5
8
10
13
ns
Transition is measured at steady-state HIGH level – 500 mV or steady-state LOW level +500 mV on the output from 1.5V level on the input with load shown in
part (b) of AC Test Loads.
At any given temperature and voltage condition, t
HZCS
is less than t
LZCS
for any given device.
7.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C128A 2K x 8 Static RAM(2K x 8 靜態(tài) RAM)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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