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參數資料
| 型號： | CY7C1168V18-300BZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數： | 15/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 963K |
| 代理商： | CY7C1168V18-300BZXI |
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CY7C1166V18
CY7C1177V18
CY7C1168V18
CY7C1170V18
Document Number: 001-06620 Rev. *C
Page 15 of 27
TAP Controller Block Diagram
Figure 3. Tap Controller Block Diagram
TAP Electrical Characteristics
The Tap Electrical Characteristics table over the operating range follows.
[10, 11, 12]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Max
Unit
V
OH1
Output HIGH Voltage
I
OH
=
2.0 mA
I
OH
=
100
μ
A
1.4
V
V
OH2
Output HIGH Voltage
1.6
V
V
OL1
Output LOW Voltage
I
OL
= 2.0 mA
I
OL
= 100
μ
A
0.4
V
V
OL2
Output LOW Voltage
0.2
V
V
IH
Input HIGH Voltage
0.65 V
DD
V
DD
+ 0.3
V
V
IL
Input LOW Voltage
–0.3
0.35 V
DD
V
I
X
Input and Output Load Current
GND
≤
V
I
≤
V
DD
5
5
μ
A
0
0
1
2
.
.
29
30
31
Boundary Scan Register
Identification Register
0
1
2
.
.
.
.
106
0
1
2
Instruction Register
Bypass Register
Selection
Circuitry
Selection
Circuitry
TAP Controller
TDI
TDO
TCK
TMS
Notes
10.These characteristics pertain to the TAP inputs (TMS, TCK, TDI and TDO). Parallel load levels are specified in the Electrical Characteristics Table.
11. Overshoot: V
(AC) < V
+ 0.35V (pulse width less than t
CYC
/2), undershoot: V
IL
(AC) >
0.3V (pulse width less than t
CYC
/2).
12.All voltage refer to ground.
[+] Feedback
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1168V18-333BZC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1168V18-333BZI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
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| CY7C128A | 2K x 8 Static RAM(2K x 8 靜態(tài) RAM) |
| CY7C1313BV18 | 18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture(4字Burst結構,18-Mbit QDR-II SRAM) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CY7C1168V18-375BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18M Q2+ B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1168V18-375BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18M Q2+, B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1168V18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18M Q2+, B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1168V18-400BZCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1168V18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18M Q2+, B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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