參數(shù)資料
型號： CY7C1168V18-300BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
中文描述： 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 5/27頁
文件大?。?/td> 963K
代理商： CY7C1168V18-300BZI
CY7C1166V18
CY7C1177V18
CY7C1168V18
CY7C1170V18
Document Number: 001-06620 Rev. *C
Page 5 of 27
Pin Configurations
(continued)
CY7C1168V18 (1M x 18)
165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout
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DOFF
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NC/72M
BWS
1
NC/288M
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R/W
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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SS
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SS
A
NC/144M
DQ9
NC
NC
NC
NC
DQ10
NC
NC
NC
TDO
NC
DQ12
NC
V
REF
NC
DQ15
NC
NC
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TCK
NC
BWS
0
A
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NC
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A
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DD
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DQ11
NC
DQ13
V
DDQ
NC
DQ14
NC
NC
DQ16
DQ17
A
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DD
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DD
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SS
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SS
A
A
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A
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QVLD
A
8
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A
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11
CQ
DQ0
NC/36M
LD
A
V
SS
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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A
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DQ7
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NC
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DQ6
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NC
ZQ
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REF
DQ4
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DQ1
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DQ2
NC
NC
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V
DDQ
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TDI
TMS
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NC
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CY7C1170V18 (512K x 36)
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NC/144M
NC/36M
BWS
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BWS
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DD
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R/W
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A
BWS
1
BWS
0
A
V
SS
DQ27
NC
DQ29
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NC
NC
NC
TDO
NC
DQ30
DQ31
V
REF
NC
DQ33
NC
DQ35
NC
TCK
NC
NC
V
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DD
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A
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DQ20
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DDQ
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A
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A
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SS
A
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A
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QVLD
A
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A
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CQ
DQ0
NC/72M
LD
A
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SS
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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SS
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A
NC
NC
NC
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DQ17
NC
DQ8
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DQ16
DQ6
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DQ14
ZQ
NC
DQ9
NC
NC
V
REF
DQ13
DQ12
NC
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NC
NC
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V
DDQ
NC
NC
NC
DQ4
NC
NC
NC
DQ1
DQ10
TDI
TMS
A
DQ15
A
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1168V18-300BZXC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1168V18-300BZXI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1168V18-333BZC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1168V18-333BZI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C123 256 x 4 Static RAM(256 x 4 靜態(tài) RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1168V18-375BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18M Q2+ B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1168V18-375BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18M Q2+, B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1168V18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18M Q2+, B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1168V18-400BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1168V18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18M Q2+, B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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