參數(shù)資料
型號： CY7C1168V18-300BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
中文描述： 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 4/27頁
文件大?。?/td> 963K
代理商： CY7C1168V18-300BZI
CY7C1166V18
CY7C1177V18
CY7C1168V18
CY7C1170V18
Document Number: 001-06620 Rev. *C
Page 4 of 27
Pin Configurations
CY7C1166V18 (2M x 8)
165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout
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CY7C1177V18 (2M x 9)
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[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1168V18-300BZXC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1168V18-300BZXI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1168V18-333BZC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1168V18-333BZI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C123 256 x 4 Static RAM(256 x 4 靜態(tài) RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1168V18-375BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18M Q2+ B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1168V18-375BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18M Q2+, B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1168V18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18M Q2+, B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1168V18-400BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1168V18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18M Q2+, B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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