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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1166V18-300BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 2M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 20/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 963K |
| 代理商： | CY7C1166V18-300BZXC |
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CY7C1166V18
CY7C1177V18
CY7C1168V18
CY7C1170V18
Document Number: 001-06620 Rev. *C
Page 20 of 27
Maximum Ratings
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Storage Temperature ................................ –65°C to + 150°C
Ambient Temperature with Power Applied. –55°C to + 125°C
Supply Voltage on V
DD
Relative to GND.......–0.5V to + 2.9V
Supply Voltage on V
DDQ
Relative to GND..... –0.5V to + V
DD
DC Applied to Outputs in High-Z .........–0.5V to V
DDQ
+ 0.3V
DC Input Voltage
[11]
...............................–0.5V to V
DD
+ 0.3V
Current into Outputs (LOW).........................................20 mA
Static Discharge Voltage (MIL-STD-883, M 3015).... >2001V
Latch up Current..................................................... >200 mA
Operating Range
Range
Ambient
Temperature
0°C to +70°C
–40°C to +85°C
V
DD
[15]
1.8 ± 0.1V
V
DDQ
[15]
1.4V to
V
DD
Commercial
Industrial
Electrical Characteristic
The DC Electrical Characteristics over the operating range follows.
[12]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
OH(LOW)
V
OL(LOW)
V
IH
V
IL
I
X
I
OZ
V
REF
I
DD
Power Supply Voltage
1.7
1.8
1.9
V
IO Supply Voltage
1.4
1.5
V
DD
V
Output HIGH Voltage
Note 16
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
– 0.2
V
SS
V
REF
+ 0.1
–0.15
V
DDQ
/2 + 0.12
V
DDQ
/2 + 0.12
V
DDQ
0.2
V
Output LOW Voltage
Note 17
V
Output HIGH Voltage
I
OH
= –0.1 mA, Nominal Impedance
I
OL
= 0.1 mA, Nominal Impedance
V
Output LOW Voltage
V
Input HIGH Voltage
V
DDQ
+ 0.15
V
REF
– 0.1
2
V
Input LOW Voltage
V
Input Leakage Current
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ,
Output Disabled
Typical Value = 0.75V
–2
μ
A
Output Leakage Current
Input Reference Voltage
[18]
–2
2
μ
A
0.68
0.75
0.95
V
V
DD
Operating Supply
V
DD
= Max, I
OUT
= 0 mA,
f = f
max
= 1/t
CYC
300 MHz
850
mA
333 MHz
920
mA
375 MHz
1020
mA
400 MHz
1080
mA
I
SB1
Automatic Power Down Current
Max V
DD
,
Both Ports Deselected,
V
IN
≥
V
IH
or V
IN
≤
V
IL
f = f
max
= 1/t
CYC
,
Inputs Static
300 MHz
250
mA
333 MHz
260
mA
375 MHz
290
mA
400 MHz
300
mA
AC Input Requirements
Over the operating range
[11]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
IH
V
IL
Input HIGH Voltage
V
REF
+ 0.2
–0.24
–
V
DDQ
+ 0.24
V
REF
– 0.2
V
Input LOW Voltage
–
V
Notes
15.Power up: Is based on a linear ramp from 0V to V
(min) within 200 ms. During this time V
IH
< V
DD
and V
DDQ
< V
DD.
16.Outputs are impedance controlled. I
OH
= –(V
DDQ
/2)/(RQ/5) for values of 175
< RQ < 350
.
17.Outputs are impedance controlled. I
= (V
/2)/(RQ/5) for values of 175
< RQ < 350
18.V
REF
(min) = 0.68V or 0.46V
DDQ
, whichever is larger, V
REF
(max) = 0.95V or 0.54V
DDQ
, whichever is smaller.
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