參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1163V18-333BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
中文描述： 1M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 25/29頁(yè)
文件大?。?/td> 956K
代理商： CY7C1163V18-333BZXC
CY7C1161V18
CY7C1176V18
CY7C1163V18
CY7C1165V18
Document Number: 001-06582 Rev. *C
Page 25 of 29
Switching Waveforms
Read/Write/Deselect Sequence
Figure 6. Waveform for 2.5 Cycle Read Latency
[30, 31, 32]
tKH
tKL
tCYC
tKHKH
t
t
t
tSA
HA
SC
HC
tHD
tSC
tHC
A0
A1
A2
A3
t
t
SD
HD
tSD
D11
D10
D12
D13
D30
D31
D32
D33
t
QVLD
D
A
WPS
RPS
K
K
NOP
6
READ
2
NOP
1
WRITE
3
READ
4
WRITE
5
7
8
CQ
CQ
Q
tCQOH
CCQO
t
CLZ
t
t
CO
tDOH
tCQDOH
CQD
t
tCHZ
tCQOH
CCQO
t
tQVLD
QVLD
DON’T CARE
UNDEFINED
(Read Latency = 2.5 Cycles)
Q00
Q01
Q20
Q02
Q21
Q03
Q22
Q23
tCQH
t
CQHCQH
Notes
30.Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, i.e., A0+1.
31.Outputs are disabled (High Z) one clock cycle after a NOP.
32.In this example, if address A2 = A1, then data Q20 = D10 and Q21 = D11. Write data is forwarded immediately as read results. This note applies to the whole diagram.
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1163V18-333BZXI 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1165V18 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1165V18-300BZC 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1165V18-300BZI 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1165V18-300BZXC 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C11651KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 QDR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C11651KV18-400BZXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165-FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF)
CY7C1165AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1165KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1165KV18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*