參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1156V18
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
中文描述： 18兆位的國(guó)防評(píng)估報(bào)告⑩- II SRAM的4字突發(fā)架構(gòu)（2.0周期讀寫(xiě)延遲）
文件頁(yè)數(shù)： 2/28頁(yè)
文件大?。?/td> 954K
代理商： CY7C1156V18
CY7C1141V18
CY7C1156V18
CY7C1143V18
CY7C1145V18
Document Number: 001-06583 Rev. *C
Page 2 of 28
Logic Block Diagram (CY7C1141V18)
Logic Block Diagram (CY7C1156V18)
5
CLK
Gen.
A
(18:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[7:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
NWS
[1:0]
Q
[7:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
16
19
8
32
8
V
REF
W
Write
Reg
16
A
(18:0)
19
5
5
5
Write
Reg
Write
Reg
Write
Reg
8
CQ
CQ
DOFF
QVLD
5
CLK
Gen.
A
(18:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[8:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[0]
Q
[8:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
18
19
9
36
9
V
REF
W
Write
Reg
18
A
(18:0)
19
5
5
5
Write
Reg
Write
Reg
Write
Reg
9
CQ
CQ
DOFF
QVLD
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1156V18-300BZC 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1156V18-300BZI 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1156V18-300BZXC 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1223F-133AC 2-Mb (128K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
CY7C1223F 2-Mb (128K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1163KV18-400BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1163KV18-450BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1163KV18-550BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (1Mx18) 1.8v 550MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C11651KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 QDR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C11651KV18-400BZXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165-FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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