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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1150V18-375BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 512K X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 20/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 969K |
| 代理商： | CY7C1150V18-375BZC |
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CY7C1146V18
CY7C1157V18
CY7C1148V18
CY7C1150V18
Document Number: 001-06621 Rev. *C
Page 20 of 27
Maximum Ratings
Exceeding maximum ratings may shorten the useful life of the
device. These user guidelines are not tested.
Storage Temperature ................................ –65°C to + 150°C
Ambient Temperature with Power Applied –55°C to + 125°C
Supply Voltage on V
DD
Relative to GND.......–0.5V to + 2.9V
Supply Voltage on V
DDQ
Relative to GND..... –0.5V to + V
DD
DC Applied to Outputs in High-Z .........–0.5V to V
DDQ
+ 0.3V
DC Input Voltage
[12]
...............................–0.5V to V
DD
+ 0.3V
Current into Outputs (LOW).........................................20 mA
Static Discharge Voltage (MIL-STD-883, M 3015).... >2001V
Latch up Current..................................................... >200 mA
Operating Range
Range
Ambient
Temperature
0°C to +70°C
–40°C to +85°C
V
DD
[16]
1.8 ± 0.1V
V
DDQ
[16]
1.4V to
V
DD
Commercial
Industrial
Electrical Characteristics
The DC Electrical Characteristics over the operating range follows.
[13]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
DD
Power Supply Voltage
1.7
1.8
1.9
V
V
DDQ
IO Supply Voltage
1.4
1.5
V
DD
V
V
OH
Output HIGH Voltage
Note 17
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
/2 + 0.12
V
V
OL
Output LOW Voltage
Note 18
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
/2 + 0.12
V
V
OH(LOW)
Output HIGH Voltage
I
OH
= –0.1 mA, Nominal Impedance
V
DDQ
– 0.2
V
DDQ
V
V
OL(LOW)
Output LOW Voltage
I
OL
= 0.1 mA, Nominal Impedance
V
SS
0.2
V
V
IH
Input HIGH Voltage
V
REF
+ 0.1
V
DDQ
+ 0.15
V
V
IL
Input LOW Voltage
–0.15
V
REF
– 0.1
V
I
X
Input Leakage Current
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ,
Output Disabled
–2
2
μ
A
I
OZ
Output Leakage Current
–2
2
μ
A
V
REF
Input Reference Voltage
[19]
Typical Value = 0.75V
0.68
0.75
0.95
V
I
DD
V
DD
Operating Supply
V
DD
= Max, I
OUT
= 0 mA,
f = f
max
= 1/t
CYC
300 MHz
850
mA
333 MHz
920
mA
375 MHz
1020
mA
I
SB1
Automatic Power Down
Current
Max V
DD
, Both Ports
Deselected, V
IN
≥
V
IH
or
V
IN
≤
V
IL
f = f
max
= 1/t
CYC
,
Inputs Static
300 MHz
250
mA
333 MHz
260
mA
375 MHz
290
mA
AC Input Requirements
Over the operating range
[12]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
IH
Input HIGH Voltage
V
REF
+ 0.2
–
V
DDQ
+ 0.24
V
V
IL
Input LOW Voltage
–0.24
–
V
REF
– 0.2
V
Notes
16.Power up: Is based on a linear ramp from 0V to V
DD
(min) within 200 ms. During this time V
IH
< V
DD
and V
DDQ
< V
DD
.
17.Outputs are impedance controlled. I
OH
= –(V
DDQ
/2)/(RQ/5) for values of 175
< RQ < 350
.
18.Outputs are impedance controlled. I
OL
= (V
DDQ
/2)/(RQ/5) for values of 175
< RQ < 350
.
19.V
REF
(min) = 0.68V or 0.46 V
DDQ
, whichever is larger, V
REF
(max) = 0.95V or 0.54 V
DDQ
, whichever is smaller.
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| CY7C1163KV18-450BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1163KV18-550BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 550MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11651KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 QDR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11651KV18-400BZXC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165-FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
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