- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄379057 > CY7C1146V18-375BZXC (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1146V18-375BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 2M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 3/27頁 |
| 文件大小： | 969K |
| 代理商： | CY7C1146V18-375BZXC |
第1頁第2頁當前第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁
CY7C1146V18
CY7C1157V18
CY7C1148V18
CY7C1150V18
Document Number: 001-06621 Rev. *C
Page 3 of 27
Logic Block Diagram (CY7C1148V18)
Logic Block Diagram (CY7C1150V18)
CLK
Gen.
A
(18:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
DQ
[17:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
18
18
36
18
BWS
[1:0]
V
REF
W
18
18
LD
19
5
5
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
R/W
DOFF
QVLD
18
CLK
Gen.
A
(17:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
DQ
[35:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
36
36
72
36
BWS
[3:0]
V
REF
W
36
36
LD
18
2
2
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
R/W
DOFF
QVLD
36
[+] Feedback
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1146V18-375BZXI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1148V18 | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1148V18-333BZC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1148V18-333BZI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1148V18-333BZXC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C11481KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb x 18 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11481KV18-400BZXC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| CY7C1148KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 440MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1148KV18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1148KV18-450BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。