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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1146V18-375BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 2M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 5/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 969K |
| 代理商： | CY7C1146V18-375BZI |
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CY7C1146V18
CY7C1157V18
CY7C1148V18
CY7C1150V18
Document Number: 001-06621 Rev. *C
Page 5 of 27
Pin Configurations
(continued)
CY7C1148V18 (1M x 18)
165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout
2
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A
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DOFF
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NC/72M
BWS
1
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R/W
A
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DDQ
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DDQ
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SS
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SS
A
NC/144M
DQ9
NC
NC
NC
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DQ10
NC
NC
NC
TDO
NC
DQ12
NC
V
REF
NC
DQ15
NC
NC
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TCK
NC
BWS
0
A
V
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NC
V
SS
V
SS
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SS
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DD
V
DD
V
DD
A
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SS
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DD
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DQ11
NC
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DDQ
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NC
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A
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DD
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SS
V
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A
A
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DD
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SS
A
A
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A
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QVLD
A
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A
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CQ
DQ0
NC/36M
LD
A
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SS
V
SS
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DDQ
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TDI
TMS
A
NC
A
CY7C1150V18 (512K x 36)
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3
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K
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NC
NC
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DOFF
NC
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NC
NC/144M
NC/36M
BWS
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BWS
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SS
V
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DD
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R/W
A
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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SS
V
SS
A
BWS
1
BWS
0
A
V
SS
DQ27
NC
DQ29
DQ18
DQ28
DQ19
NC
NC
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TDO
NC
DQ30
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REF
NC
DQ33
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TCK
NC
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A
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SS
A
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DD
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SS
A
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NC
A
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QVLD
A
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CQ
DQ0
NC/72M
LD
A
V
SS
V
SS
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DDQ
V
DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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SS
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SS
A
NC
NC
NC
NC
DQ17
NC
DQ8
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DQ16
DQ6
DQ5
DQ14
ZQ
NC
DQ9
NC
NC
V
REF
DQ13
DQ12
NC
DQ11
DQ3
DQ2
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
DQ4
NC
NC
NC
DQ1
DQ10
TDI
TMS
A
DQ15
A
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1146V18-375BZXC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1146V18-375BZXI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1148V18 | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1148V18-333BZC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1148V18-333BZI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C11481KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb x 18 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11481KV18-400BZXC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| CY7C1148KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 440MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1148KV18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1148KV18-450BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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