參數(shù)資料
型號： CY7C1146V18-333BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
中文描述： 2M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 24/27頁
文件大小： 969K
代理商： CY7C1146V18-333BZI
CY7C1146V18
CY7C1157V18
CY7C1148V18
CY7C1150V18
Document Number: 001-06621 Rev. *C
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Speed
(MHz)
375
Ordering Code
Package
Diagram
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Package Type
Operating
Range
Commercial
CY7C1146V18-375BZC
CY7C1157V18-375BZC
CY7C1148V18-375BZC
CY7C1150V18-375BZC
CY7C1146V18-375BZXC
CY7C1157V18-375BZXC
CY7C1148V18-375BZXC
CY7C1150V18-375BZXC
CY7C1146V18-375BZI
CY7C1157V18-375BZI
CY7C1148V18-375BZI
CY7C1150V18-375BZI
CY7C1146V18-375BZXI
CY7C1157V18-375BZXI
CY7C1148V18-375BZXI
CY7C1150V18-375BZXI
CY7C1146V18-333BZC
CY7C1157V18-333BZC
CY7C1148V18-333BZC
CY7C1150V18-333BZC
CY7C1146V18-333BZXC
CY7C1157V18-333BZXC
CY7C1148V18-333BZXC
CY7C1150V18-333BZXC
CY7C1146V18-333BZI
CY7C1157V18-333BZI
CY7C1148V18-333BZI
CY7C1150V18-333BZI
CY7C1146V18-333BZXI
CY7C1157V18-333BZXI
CY7C1148V18-333BZXI
CY7C1150V18-333BZXI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Industrial
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
333
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Commercial
51-85180 165-Vall Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Industrial
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
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參數(shù)描述
CY7C11481KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb x 18 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C11481KV18-400BZXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C1148KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 440MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1148KV18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1148KV18-450BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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