參數(shù)資料
型號: CY7C106
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 256K x 4 Static RAM(256K x 4 靜態(tài) RAM)
中文描述: 256K × 4靜態(tài)存儲器(256K × 4靜態(tài)內(nèi)存)
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 203K
代理商: CY7C106
CY7C106
CY7C1006
5
Data Retention Characteristics
Over the Operating Range (L Version Only)
Parameter
V
DR
I
CCDR
t
CDR[4]
t
R[4]
Description
Conditions
[10]
Min.
2.0
Max.
Unit
V
μ
A
ns
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
> V
CC
– 0.3V or
V
IN
< 0.3V
50
Chip Deselect to Data Retention Time
0
Operation Recovery Time
t
RC
ns
Data Retention Waveform
4.5V
4.5V
CE
V
CC
t
CDR
V
DR
> 2V
DATA RETENTION MODE
t
R
C106–5
Switching Waveforms
Read Cycle No.1
[11, 12]
Read Cycle No. 2 (OE Controlled)
[12, 13]
Notes:
10. No input may exceed V
+0.5V.
11. Device is continuously selected, OE and CE = V
IL
.
12. WE is HIGH for read cycle.
13. Address valid prior to or coincident with CE transition LOW.
1
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
t
RC
t
AA
t
OHA
ADDRESS
DATA OUT
C106–6
C106–7
50%
50%
DATA VALID
t
RC
t
ACE
t
DOE
t
LZOE
t
LZCE
t
PU
HIGH IMPEDANCE
IMPEDANCE
ICC
ISB
t
HZOE
t
HZCE
t
PD
HIGH
ADDRESS
CE
DATA OUT
V
CC
SUPPLY
CURRENT
OE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1006 256K x 4 Static RAM(256K x4 靜態(tài) RAM)
CY7C1146V18 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-333BZXC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-333BZXI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-375BZC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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CY7C10612DV33-10ZSXIT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1024Kbx16 16Mb 3.3V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1061AV33-10BAC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1M x 16 CPG COM Fast Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1061AV33-10BAI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1061AV33-10BAXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 16MB (1Mx16) 3.3v 10ns Fast Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray