參數(shù)資料
型號: CY7C1021CV33-12BAE
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
中文描述: 64K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PBGA48
封裝: 7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-48
文件頁數(shù): 9/13頁
文件大小: 379K
代理商: CY7C1021CV33-12BAE
CY7C1021CV33
Document #: 38-05132 Rev. *G
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Write Cycle No. 3 (WE Controlled, LOW)
Truth Table
CE
H
L
OE
X
L
WE
X
H
BLE
X
L
L
H
L
L
BHE
X
L
H
L
L
H
I/O
1
–I/O
8
[3]
High-Z
Data Out
Data Out
High-Z
Data In
Data In
I/O
9
–I/O
16
[3]
High-Z
Data Out
High-Z
Data Out
Data In
High-Z
Mode
Power
Power-down
Read – All bits
Read – Lower bits only
Read – Upper bits only
Write – All bits
Write – Lower bits only
Standby (I
SB
)
Active (I
CC
)
Active (I
CC
)
Active (I
CC
)
Active (I
CC
)
Active (I
CC
)
Active (I
CC
)
Active (I
CC
)
Active (I
CC
)
L
X
L
H
X
H
L
X
H
High-Z
High-Z
High-Z
Data In
High-Z
High-Z
Write – Upper bits only
Selected, Outputs Disabled
Selected, Outputs Disabled
L
L
H
X
H
X
Switching Waveforms
(continued)
t
HD
t
SD
t
SCE
t
HA
t
AW
t
PWE
t
WC
t
BW
t
SA
t
LZWE
t
HZWE
DATA I/O
ADDRESS
CE
WE
BHE, BLE
[+] Feedback
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PDF描述
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CY7C1021CV33-12VC 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤