參數(shù)資料
型號： CY7C1021CV33-12BAE
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
中文描述： 64K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PBGA48
封裝： 7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-48
文件頁數(shù)： 8/13頁
文件大小： 379K
代理商： CY7C1021CV33-12BAE
CY7C1021CV33
Document #: 38-05132 Rev. *G
Page 8 of 13
Write Cycle No. 1 (CE Controlled)
[16, 17]
Write Cycle No. 2 (BLE or BHE Controlled)
Notes:
16.Data I/O is high impedance if OE or BHE and/or BLE= V
.
17.If CE goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high-impedance state.
Switching Waveforms
(continued)
t
HD
t
SD
t
SCE
t
SA
t
HA
t
AW
t
PWE
t
WC
BW
t
DATA I/O
ADDRESS
CE
WE
BHE, BLE
t
HD
t
SD
t
BW
t
SA
t
HA
t
AW
t
PWE
t
WC
t
SCE
DATA I/O
ADDRESS
BHE, BLE
CE
WE
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PDF描述
CY7C1021CV33-12BAXI 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
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CY7C1021CV33-12BAXIT 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 48LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1021CV33-12VC 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
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