參數(shù)資料
型號： CY7C1021B-15VXE
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
中文描述： 64K X 16 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO44
封裝： 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-44
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 314K
代理商： CY7C1021B-15VXE
CY7C1021B
Document #: 38-05145 Rev. *C
Page 3 of 10
Maximum Ratings
(Above which the useful life may be impaired. For user guide-
lines, not tested.)
Storage Temperature .................................–65
°
C to +150
°
C
Ambient Temperature with
Power Applied.............................................–55
°
C to +125
°
C
Supply Voltage on V
CC
Relative to GND
[2]
....–0.5V to +7.0V
DC Voltage Applied to Outputs
in High Z State
[2]
......................................–0.5V to V
CC
+0.5V
DC Input Voltage
[2]
...................................–0.5V to V
CC
+0.5V
Current into Outputs (LOW).........................................20 mA
Static Discharge Voltage............................................>2001V
(per MIL-STD-883, Method 3015)
Latch-Up Current.....................................................>200 mA
Operating Range
Range
Ambient
Temperature (T
A
)
[3]
0
°
C to +70
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +125
°
C
V
CC
Commercial
Industrial
Automotive
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
Parameter
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
Description
Test
Conditions
-12
-15
Unit
V
V
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
mA
mA
mA
mA
Min.
2.4
Max.
Min.
2.4
Max.
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Input HIGH Voltage
Input LOW Voltage
[2]
Input Leakage Current
V
CC
= Min., I
OH
= –4.0 mA
V
CC
= Min., I
OL
= 8.0 mA
0.4
6.0
0.8
+1
0.4
6.0
0.8
+1
+4
+1
+4
130
130
40
50
2.2
–0.5
–1
2.2
–0.5
–1
–4
–1
–4
GND < V
I
< V
CC
Com’l/Ind’l
Auto
Com’l/Ind’l
Auto
Com’l/Ind’l
Auto
Com’l/Ind’l
Auto
I
OZ
Output Leakage Current
GND < V
I
< V
CC
,
Output Disabled
–1
+1
I
CC
V
CC
Operating
Supply Current
V
CC
= Max.,
I
OUT
= 0 mA,
f = f
MAX
= 1/t
RC
140
I
SB1
Automatic CE
Power Down Current —TTL
Inputs
Automatic CE
Power Down Current
—CMOS Inputs
Max. V
CC
, CE > V
IH
V
IN
> V
IH
or V
IN
< V
IL
, f =
f
MAX
Max. V
CC
, CE > V
CC
–
0.3V, V
IN
> V
CC
– 0.3V,
or V
IN
< 0.3V, f = 0
40
I
SB2
Com’l/Ind’l
Auto
L Version
10
10
15
0.5
mA
mA
mA
0.5
Capacitance
[4]
Parameter
Description
Test Conditions
Max.
8
8
Unit
pF
pF
C
IN
C
OUT
Input Capacitance
Output Capacitance
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
CC
= 5.0V
Thermal Resistance
[4]
Parameter
Θ
JA
Description
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test Conditions
44-pin SOJ
64.32
44-pin
TSOP-II
76.89
Unit
°
C/W
Test conditions follow standard test methods and
procedures for measuring thermal impedance,
per EIA/JESD51.
Θ
JC
31.03
14.28
°
C/W
Notes:
2. V
IL
(min.) = –2.0V and V
(max) = V
CC
+ 0.5V for pulse durations of less than 20 ns.
3. T
is the “Instant On” case temperature.
4. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1021B-15VXI 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY7C1021B-15ZSXE 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY7C1021B-15ZXI 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY7C1021BL-15ZI 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY7C1021BL-15ZXI 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1021B-15VXET 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 44SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1021B-15VXI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 44SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1021B-15VXIT 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 44SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1021B15ZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1021B-15ZC 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*