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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C0853AV-133BBC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | FLEx36™ 3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchronous Dual-Port RAM |
| 中文描述： | 256K X 36 DUAL-PORT SRAM, 4.7 ns, PBGA172 |
| 封裝： | 15 X 15 MM, 1.25 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-172 |
| 文件頁數(shù)： | 10/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 956K |
| 代理商： | CY7C0853AV-133BBC |
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CY7C0850AV,CY7C0851V/CY7C0851AV
CY7C0852V/CY7C0852AV
CY7C0853V/CY7C0853AV
Document #: 38-06070 Rev. *J
Page 18 of 36
Switching Waveforms
Figure 8. Master Reset
Figure 9. Read Cycle[26, 27, 28, 29, 30]
MRST
tRSR
tRS
INACTIVE
ACTIVE
TMS
TDO
INT
CNTINT
tRSF
tRSS
ALL
ADDRESS/
DATA
LINES
ALL
OTHER
INPUTS
tCH2
tCL2
tCYC2
tSC
tHC
tSW
tHW
tSA
tHA
An
An+1
CLK
CE
R/W
ADDRESS
DATAOUT
OE
An+2
An+3
tSC
tHC
tOHZ
tOE
tOLZ
tDC
tCD2
tCKLZ
Qn
Qn+1
Qn+2
1 Latency
B0–B3
tSB
tHB
Notes
26. CE is internal signal. CE = LOW if CE0 = LOW and CE1 = HIGH. For a single Read operation, CE only needs to be asserted once at the rising edge of the CLK and
can be deasserted after that. Data is out after the following CLK edge and is three-stated after the next CLK edge.
27. OE is asynchronously controlled; all other inputs (excluding MRST and JTAG) are synchronous to the rising clock edge.
28. ADS = CNTEN = LOW, and MRST = CNTRST = CNT/MSK = HIGH.
29. The output is disabled (high-impedance state) by CE = VIH following the next rising edge of the clock.
30. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = CNTEN = VIL with CNT/MSK = VIH constantly loads the address on the rising edge of the CLK.
Numbers are for reference only.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| CY7C09099V-6AXC | 3.3V 32K/64K/128K x 8/9 Synchronous Dual-Port Static RAM |
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| CY7C09099V-12AXC | 3.3V 32K/64K/128K x 8/9 Synchronous Dual-Port Static RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C0853AV-133BBI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 3.3V 9MBIT 256KX36 4.7NS 172FBGA - Trays |
| CY7C0853V-100BBC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 9MB (256Kx36) 3.3v 100MHz Synch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C0853V-100BBI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 256K x 36 5ns 172-Pin FBGA 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 256K x 36 4.7ns 172-Pin FBGA 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:3.3V 256K X 36 SYNC DUALPORT SRAM - Bulk |
| CY7C0853V-133BBC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 9MB (256Kx36) 3.3v 133MHz Synch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C0853V-133BBI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 9MB (256Kx36) 3.3v 133MHz Synch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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