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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C0852V-133BBI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchronous Dual-Port RAM |
| 中文描述： | 128K X 36 DUAL-PORT SRAM, 4.4 ns, PBGA172 |
| 封裝： | 15 X 15 MM, 1.25 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-172 |
| 文件頁數(shù)： | 29/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 764K |
| 代理商： | CY7C0852V-133BBI |
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CY7C0850V/CY7C0851V
CY7C0852V/CY7C0853V
Document #: 38-06070 Rev. *D
Page 29 of 29
Document History Page
Document Title: CY7C0850V/CY7C0851V/CY7C0852V/CY7C0853V FLEx36
TM
3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchro-
nous Dual-Port RAM
Document Number: 38-06070
Issue
Date
Change
Description of Change
**
127809
08/04/03
SPN
This data sheet has been extracted from another data sheet: the 2M/4M/9M
data sheet. The following changes have been made from the original as
pertains to this device:
Updated capacitance values
Updated “Read-to-Write-to-Read (OE Controlled)” waveform
Revised static discharge voltage
Corrected 0853 pins L3 and L12
Added discussion of Pause/Restart for JTAG boundary scan
Power up requirements added to Maximum Ratings information
Revise t
cd2
, t
OE
, t
OHZ
, t
CKHZ
, t
CKLZ
for the CY7C0853V to 4.7 ns
Updated I
cc
numbers
Updated t
HA
, t
HB
, t
HD
for -100 speed
Separated out from the 4M data sheet
Added 133-MHz Industrial device to Ordering Information table
*A
210948
See ECN
YDT
Changed mailbox addresses from 1FFFE and 1FFFF to 3FFFE and 3FFFF.
*B
216190
See ECN
YDT/Dcon
Corrected Revision of Document. CMS does not reflect this rev change
*C
231996
See ECN
YDT
Removed “A particular port can write to a certain location while another port
is reading that location.” from Functional Description.
*D
238938
See ECN
WWZ
Merged 0853 (9Mx36) with 0852 (4Mx36) and 0851(2Mx36), add 0850 (1M
x36), to the datasheet.
Added product selection table.
Added JTAG ID code for 1M device.
Added note 14.
Updated boundry scan section section.
Updated function description for the merge and addition.
REV.
ECN NO.
Orig. of
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C0852V-167AC | FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchronous Dual-Port RAM |
| CY7C0852V-167BBC | FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchronous Dual-Port RAM |
| CY7C0853V-100BBC | FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchronous Dual-Port RAM |
| CY7C0853V-100BBI | FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchronous Dual-Port RAM |
| CY7C09159AV | 3.3V 8K x 9 Synchronous Dual-Port Static RAM(3.3V 8K x 9 同步雙端口靜態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C0852V-150BBC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C0852V-167AXC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 167MHZ 176LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CY7C0852V-167BBC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4MB (128Kx36) 3.3v 167MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C0853AV-100BBC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Kx36 100MHz 9Mb SYNC DUAL PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C0853AV-100BBI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 9MB (256Kx36) 3.3v 100MHz Synch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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