參數(shù)資料
型號： CY7C0852V-133BBI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchronous Dual-Port RAM
中文描述： 128K X 36 DUAL-PORT SRAM, 4.4 ns, PBGA172
封裝： 15 X 15 MM, 1.25 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-172
文件頁數(shù)： 25/29頁
文件大?。?/td> 764K
代理商： CY7C0852V-133BBI
CY7C0850V/CY7C0851V
CY7C0852V/CY7C0853V
Document #: 38-06070 Rev. *D
Page 25 of 29
MailBox Interrupt Timing
[46, 47, 48, 49, 50]
Switching Waveforms
(continued)
t
CH2
t
CL2
t
CYC2
CLK
L
t
CH2
t
CL2
t
CYC2
CLK
R
3FFFF
t
SA
t
HA
A
n+3
A
n
A
n+1
A
n+2
L_PORT
ADDRESS
A
m
A
m+4
A
m+1
3FFFF
A
m+3
R_PORT
ADDRESS
INT
R
t
SA
t
HA
t
SINT
t
RINT
Table 7. Read/Write and Enable Operation
(Any Port)
[1, 8, 51, 52]
Inputs
CE
0
Outputs
DQ
0
–
DQ
35
High-Z
Operation
OE
X
CLK
CE
1
X
R/W
X
H
Deselected
X
X
L
X
High-Z
Deselected
X
L
H
L
D
IN
Write
L
L
H
H
D
OUT
Read
H
X
L
H
X
High-Z
Outputs Disabled
Notes:
46. CE
= OE = ADS = CNTEN = LOW; CE
= CNTRST = MRST = CNT/MSK = HIGH.
47. Address “3FFFF” is the mailbox location for R_Port of a 9M device.
48. L_Port is configured for Write operation, and R_Port is configured for Read operation.
49. At least one byte enable (B0 – B3) is required to be active during interrupt operations.
50. Interrupt flag is set with respect to the rising edge of the Write clock, and is reset with respect to the rising edge of the Read clock.
51. OE is an asynchronous input signal.
52. When CE changes state, deselection and Read happen after one cycle of latency.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C0852V-167AC FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchronous Dual-Port RAM
CY7C0852V-167BBC FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchronous Dual-Port RAM
CY7C0853V-100BBC FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchronous Dual-Port RAM
CY7C0853V-100BBI FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchronous Dual-Port RAM
CY7C09159AV 3.3V 8K x 9 Synchronous Dual-Port Static RAM(3.3V 8K x 9 同步雙端口靜態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C0852V-150BBC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C0852V-167AXC 功能描述:IC SRAM 4MBIT 167MHZ 176LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C0852V-167BBC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4MB (128Kx36) 3.3v 167MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C0853AV-100BBC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256Kx36 100MHz 9Mb SYNC DUAL PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C0853AV-100BBI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 9MB (256Kx36) 3.3v 100MHz Synch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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