參數(shù)資料
型號(hào): CY7C028V-20ACT
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: SRAM
英文描述: 3.3V 32K/64K x 16/18 Dual-Port Static RAM
中文描述: 64K X 16 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
封裝: PLASTIC, MS-026, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù): 7/22頁(yè)
文件大?。?/td> 635K
代理商: CY7C028V-20ACT
CY7C027V/027AV/028V
CY7C037AV/038V
Document #: 38-06078 Rev. *D
Page 15 of 22
Figure 15. Interrupt Timing Diagrams
Notes
43. tHA depends on which enable pin (CEL or R/WL) is deasserted first.
44. tINS or tINR depends on which enable pin (CEL or R/WL) is asserted last.
Switching Waveforms(continued)
WRITE 7FFF (FFFF for CY7C028V/38V)
tWC
Right Side Clears INTR:
tHA
READ 7FFF
tRC
tINR
WRITE 7FFE (FFFE for CY7C028V/38V)
tWC
Right Side Sets INTL:
Left Side Sets INTR :
Left Side Clears INT L:
READ 7FFE
tINR
tRC
ADDRESSR
CE L
R/W L
INT L
OE L
ADDRESSR
R/WR
CE R
INTL
ADDRESSR
CER
R/WR
INTR
OE R
ADDRESSL
R/WL
CE L
INTR
tINS
tHA
tINS
(FFFF for CY7C028V/38V)
(FFFE for CY7C028V/38V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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CY7C028V-20AXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3V 64Kx16 IND Async Dual Port 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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