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參數(shù)資料
| 型號： | CY62256VN |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 256K (32K x 8) Static RAM |
| 中文描述： | 256K（32K的× 8）靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 641K |
| 代理商： | CY62256VN |
CY62256VN
Document #: 001-06512 Rev. *A
Page 4 of 12
Capacitance
[5]
Parameter
Description
Test Conditions
T
A
= 25°C, f = 1 MHz,
V
CC
= 3.0V
Max.
6
8
Unit
pF
pF
C
IN
C
OUT
Input Capacitance
Output Capacitance
Thermal Resistance
[5]
Parameter
Θ
JA
Description
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test Conditions
SOIC
68.45
TSOPI
87.62
RTSOPI
87.62
Unit
°
C/W
Still Air, soldered on a 3 × 4.5 inch,
two-layer printed circuit board
Θ
JC
26.94
23.73
23.73
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
Parameter
R1
R2
RTH
VTH
Value
1100
1500
645
1.750
Units
Ohms
Ohms
Ohms
Volts
Data Retention Characteristics
(Over the Operating Range)
Parameter
V
DR
I
CCDR
Description
Conditions
[6]
Min.
1.4
Typ.
[2]
Max.
Unit
V
μ
A
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
V
CC
= 1.4V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
> V
CC
– 0.3V
or V
IN
< 0.3V
Com’l
Ind’l/Auto-A
Auto-E
0.1
3
6
50
t
CDR[6]
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery Time
0
ns
t
R[5]
t
RC
ns
V
CC
V
CC
OUTPUT
R2
50 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
GND
90%
10%
90%
10%
< 5 ns
< 5 ns
OUTPUT
V
th
Equivalent to:
THé VENIN EQUIVALENT
R
th
ALL INPUT PULSES
R1
Data Retention Waveform
Note:
5. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
6. No input may exceed V
CC
+ 0.3V.
1.8V
1.8V
t
CDR
V
DR
> 1.4V
DATA RETENTION MODE
t
R
CE
V
CC
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY62256VNLL-70SNC | 256K (32K x 8) Static RAM |
| CY62256VNLL-70SNXC | 256K (32K x 8) Static RAM |
| CY62256VNLL-70SNXE | 256K (32K x 8) Static RAM |
| CY62256VNLL-70SNXI | 256K (32K x 8) Static RAM |
| CY62256VNLL-70ZC | 256K (32K x 8) Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY62256VNLL-70SNC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY62256VNLL-70SNXC | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MoBL® 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CY62256VNLL-70SNXCT | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MoBL® 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CY62256VNLL-70SNXE | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V ULTRA LO PWR 32KX8 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62256VNLL-70SNXET | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V ULTRA LO PWR 32KX8 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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