參數(shù)資料
型號： CY62157CV33LL-70BAE
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 16 Static RAM
中文描述： 512K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48
封裝： 6 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-48
文件頁數(shù)： 9/13頁
文件大小： 328K
代理商： CY62157CV33LL-70BAE
CY62157CV30/33
Document #: 38-05014 Rev. *F
Page 9 of 13
Write Cycle No. 2 (CE
1
or CE
2
Controlled)
[14, 18, 19]
Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW)
[19]
Switching Waveforms
(continued)
t
HD
t
SD
t
PWE
t
HA
t
AW
t
SCE
t
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HZOE
DATA
IN
VALID
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1
ADDRESS
CE
2
WE
DATA I/O
OE
NOTE 20
BHE/BLE
t
BW
t
SA
DATA
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VALID
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62157CV33LL-70BAXA 512K x 16 Static RAM
CY62157DV30 8-Mbit (512K x 16) MoBL Static RAM(8-Mb(512K x 16) MoBL靜態(tài)RAM)
CY62157EV18 8-Mbit (512K x 16) Static RAM
CY62157EV18LL-55BVXI 8-Mbit (512K x 16) Static RAM
CY62157EV30 8-Mbit (512K x 16) Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62157CV33LL-70BAI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:8MB (512KX16) SRAM SLOW 3.3V SUPER LOW POWER - Bulk
CY62157CV33LL-70BAXA 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 512KX16 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62157CV33LL-70BAXAT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 512KX16 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62157DG30LL-55ZSXI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY62157DV18L-55BVI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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