參數(shù)資料
型號： CY62157CV33LL-70BAE
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 16 Static RAM
中文描述： 512K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48
封裝： 6 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-48
文件頁數(shù)： 4/13頁
文件大小： 328K
代理商： CY62157CV33LL-70BAE
CY62157CV30/33
Document #: 38-05014 Rev. *F
Page 4 of 13
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
Parameter
V
OH
Description
Output HIGH
Voltage
Output LOW
Voltage
Input HIGH Voltage
Input LOW Voltage
Input Leakage
Current
Test Conditions
CY62157CV33-70
Min.
Typ.
[2]
2.4
Unit
V
Max.
I
OH
= –1.0 mA
V
CC
= 3.0V
I
OL
= 2.1 mA
V
CC
= 3.0V
V
OL
0.4
V
V
IH
V
IL
I
IX
2.2
–0.3
–1
–10
–1
–10
V
CC
+ 0.3V
0.8
+1
+10
+1
+10
12
15
3
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
mA
GND < V
I
< V
CC
Auto-A
Auto-E
Auto-A
Auto-E
Auto-A
Auto-E
Auto-A/
Auto-E
Auto-A
Auto-E
I
OZ
Output Leakage
Current
GND < V
O
< V
CC
, Output Disabled
I
CC
V
CC
Operating
Supply
Current
f = f
MAX
= 1/t
RC
V
CC
= 3.6V
I
OUT
= 0 mA
CMOS Levels
5.5
7
1.5
f = 1 MHz
I
SB1
Automatic CE
Power-Down
Current—CMOS
Inputs
CE
1
> V
CC
– 0.2V or
CE
2
< 0.2V
V
IN
> V
CC
– 0.2V or
V
IN
< 0.2V,
f = f
max
(Address and Data
Only),
f = 0 (OE,WE,BHE,and BLE)
CE
1
> V
CC
– 0.2V or
CE
2
< 0.2V
V
IN
> V
CC
– 0.2V or
V
IN
< 0.2V,
f = 0, V
CC
= 3.6V
10
10
30
80
μ
A
μ
A
I
SB2
Automatic CE
Power-Down
Current—CMOS
Inputs
Auto-A
Auto-E
10
10
30
80
μ
A
μ
A
Thermal Resistance
[7]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
FBGA
55
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Still Air, soldered on a 3 x 4.5 inch, two-layer printed
circuit board
Θ
JC
16
°
C/W
Note:
7. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
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PDF描述
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