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參數(shù)資料
| 型號： | CY62148BLL-70SI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 8 Static RAM |
| 中文描述： | 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32 |
| 文件頁數(shù)： | 3/11頁 |
| 文件大小： | 189K |
| 代理商： | CY62148BLL-70SI |
CY62148B MoBL
Document #: 38-05039 Rev. *B
Page 3 of 11
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
Parameter
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
Description
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Input HIGH Voltage
Input LOW Voltage
Input Leakage Current
Output Leakage
Current
V
CC
Operating
Supply Current
Test Conditions
CY62148B-70
Typ.
[3]
Unit
V
V
V
V
μ
A
μ
A
Min.
2.4
Max.
V
CC
= Min., I
OH
=
–
1 mA
V
CC
= Min., I
OL
= 2.1 mA
0.4
2.2
–
0.3
–
1
–
1
V
CC
+0.3
0.8
+1
+1
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
, Output Disabled
I
CC
f = f
MAX
= 1/t
RC
f = 1 MHz
Com/Ind
’
l
I
OUT
=0 mA
V
CC
= Max.,
Com/
Ind
’
l
12.5
2.5
20
mA
mA
I
SB1
Automatic CE
Power-Down Current
—
TTL Inputs
Max. V
CC
,
CE
≥
V
IH
V
IN
≥
V
IH
or
V
IN
≤
V
IL
, f = f
MAX
Max. V
CC
,
CE
≥
V
CC
–
0.3V,
V
IN
≥
V
CC
–
0.3V,
or V
IN
≤
0.3V, f =0
1.5
mA
I
SB2
Automatic CE
Power-Down Current
—
CMOS Inputs
Com/
Ind
’
l
4
20
μ
A
Capacitance
[4]
Parameter
Description
Test Conditions
Max.
6
8
Unit
pF
pF
C
IN
C
OUT
Input Capacitance
Output Capacitance
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
CC
= 5.0V
AC Test Loads and Waveforms
Note:
4.
Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
5V
OUTPUT
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(b)
R2
990
(a)
90%
10%
3.0V
GND
90%
10%
≤
3 ns
≤
3 ns
OUTPUT
639
Equivalent to:
THEVENIN EQUIVALENT
1.77V
R1 1800
ALL INPUT PULSES
5V
OUTPUT
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
R2
990
R1 1800
100 pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY62148BLL-70ZC | 512K x 8 Static RAM |
| CY62148BLL-70ZI | 512K x 8 Static RAM |
| CY62148BLL-70ZRC | 512K x 8 Static RAM |
| CY62148CV25 | 512K x 8 MoBL Static RAM |
| CY62148CV25LL-55BAI | 512K x 8 MoBL Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY62148BLL-70SXC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 70NS 32SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| CY62148BLL-70SXI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Single 5V 4M-Bit 512K x 8 70ns 32-Pin SOIC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:IC SRAM 4M 5V SMD 62148 SOIC32 |
| CY62148BLL-70ZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY62148BLL-70ZI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 70NS 32TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| CY62148BLL-70ZIT | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
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