參數(shù)資料
型號： CY62147EV30LL-45BVI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
中文描述： 256K X 16 STANDARD SRAM, 45 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大小： 517K
代理商： CY62147EV30LL-45BVI
CY62147EV30 MoBL
Document #: 38-05440 Rev. *E
Page 6 of 12
Switching Waveforms
Read Cycle No. 1
(Address Transition Controlled)
[17, 18]
Figure 3. Read Cycle No. 1
Read Cycle No. 2
(OE Controlled)
[18, 19]
Figure 4. Read Cycle No. 2
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
t
RC
t
AA
t
OHA
ADDRESS
DATA OUT
50%
50%
DATA VALID
t
RC
t
ACE
t
LZBE
t
LZCE
t
PU
HIGH MPEDANCE
I
CC
t
HZOE
t
HZCE
t
PD
t
HZBE
t
LZOE
t
DBE
t
DOE
IMPEDANCE
HIGH
I
SB
DATA OUT
OE
CE
V
CC
SUPPLY
CURRENT
BHE/BLE
ADDRESS
Notes
17.The device is continuously selected. OE, CE
= V
IL
, BHE, BLE, or both = V
IL
.
18.WE is HIGH for read cycle.
19.Address valid before or similar to CE and BHE, BLE transition LOW.
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PDF描述
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參數(shù)描述
CY62147EV30LL-45BVIT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M Ultra LO Pwr HI SPD Micropwr IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62147EV30LL-45BVXA 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M MoBL Ultra Lo PWR HI SPD MicroPWR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62147EV30LL-45BVXAT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M MoBL Ultra Lo PWR HI SPD MicroPWR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62147EV30LL45BVXI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY62147EV30LL-45BVXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M Ultra LO Pwr HI SPD Micropwr IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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