參數(shù)資料
型號： CY62147DV30_06
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
中文描述： 4兆位（256K × 16）靜態(tài)RAM
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 359K
代理商： CY62147DV30_06
CY62147DV30
Document #: 38-05340 Rev. *F
Page 7 of 12
Write Cycle No. 1 (WE Controlled)
[17, 21, 22]
Write Cycle No. 2 (CE
Controlled)
[17, 21, 22]
Notes:
21.Data I/O is high impedance if OE = V
.
22.If CE goes HIGH simultaneously with WE = V
, the output remains in a high-impedance state.
23.During this period, the I/Os are in output state and input signals should not be applied.
Switching Waveforms
(continued)
t
HD
t
SD
t
PWE
t
SA
t
HA
t
AW
t
WC
DATA I/O
ADDRESS
CE
WE
OE
t
HZOE
DATA
IN
NOTE
23
BHE/BLE
t
BW
t
SCE
t
HD
t
SD
t
PWE
t
HA
t
AW
t
SCE
t
WC
t
HZOE
DATA
IN
CE
ADDRESS
WE
DATA I/O
OE
NOTE 23
BHE/BLE
t
BW
t
SA
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62147DV30L-55BVXE 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
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CY62147DV30LL-45ZSXI 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147DV30LL-55BVI 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
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參數(shù)描述
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