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參數(shù)資料
| 型號： | CY62137V MoBL |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 128K x 16 Static RAM(128K x 16 靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 128K的× 16靜態(tài)RAM（128K的× 16靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 225K |
| 代理商： | CY62137V MOBL |
CY62137V MoBL
CY62137V18 MoBL2
4
AC Test Loads and Waveforms
V
CC
Typ
V
CC
OUTPUT
R2
30 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
GND
90%
10%
90%
10%
< 5 ns
< 5 ns
OUTPUT
V
Equivalent to:
TH
é
VENIN EQUIVALENT
R
TH
ALL INPUT PULSES
C62137V
–
4
C62137V
–
5
R1
V
CC
OUTPUT
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(b)
R1
R2
(a)
Parameters
R1
R2
R
TH
V
TH
3.0V
1105
1550
645
1.75V
1.8V
15294
11300
6500
0.85V
Unit
Ohms
Ohms
Ohms
Volts
Shaded areas contain preliminary information.
Data Retention Characteristics
(Over the Operating Range)
Parameter
Description
Conditions
[4]
Min.
Typ.
[2]
Max.
Unit
V
DR
V
CC
for Data Retention
(CY62137V18)
1.0
1.95
V
V
DR
V
CC
for Data Retention
(CY62137V)
1.0
3.6
V
I
CCDR
Data Retention Current
V
CC
= 1.0V
CE > V
CC
–
0.3V,
V
IN
> V
CC
–
0.3V or
V
IN
< 0.3V
No input may exceed
V
CC
+0.3V
LL
0.1
5
μ
A
t
CDR[3]
Chip Deselect to Data
Retention Time
0
ns
t
R
Operation Recovery Time
100
μ
s
Data Retention Waveform
Note:
4.
Test conditions assume signal transition time of 5 ns or less, timing reference levels of 1.5V, input levels of 0 to V
CC
typ., and output loading of the specified
I
OL
/I
OH
and 30-pF load capacitance.
C62137V
–
6
V
CC
(min.)
V
CC
(min.)
t
CDR
V
DR
> 1.0 V
DATA RETENTION MODE
t
R
CE
V
CC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY62137V18 | 128K x 16 Static RAM(128K x 16靜態(tài)RAM) |
| CY62137V | 2-Mbit (128K x 16) Static RAM |
| CY62137VLL-55ZI | 2-Mbit (128K x 16) Static RAM |
| CY62137VLL-70ZE | 2-Mbit (128K x 16) Static RAM |
| CY62137VLL-70ZI | 2-Mbit (128K x 16) Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY62137VN | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:2-Mbit (128K x 16) Static RAM |
| CY62137VNLL-55ZXI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:2-Mbit (128K x 16) Static RAM |
| CY62137VNLL-70ZSXA | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 128K X 16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62137VNLL-70ZSXAT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 128K X 16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62137VNLL-70ZSXE | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 128K X 16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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