參數資料
型號: CY62136VNLL-70BAI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
中文描述: 128K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48
封裝: 7 X 7 MM, FBGA-48
文件頁數: 12/12頁
文件大小: 569K
代理商: CY62136VNLL-70BAI
CY62136VN MoBL
Document #: 001-06510 Rev. *A
Page 12 of 12
Document History Page
Document Title: CY62136VN MoBL
2-Mbit (128K x 16) Static RAM
Document Number: 001-06510
REV.
**
*A
ECN NO.
426503
488954
Issue Date
See ECN
See ECN
Orig. of
Change
RXU
NXR
Description of Change
New Data Sheet
Added Automotive product
Updated ordering Information table
[+] Feedback
相關PDF資料
PDF描述
CY62136VNLL-70ZSXA 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
CY62136VNLL-70ZSXE 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
CY62136VNLL-70ZXI 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
CY62137CV30LL 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
CY62137CV30LL-55BVXI 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
相關代理商/技術參數
參數描述
CY62136VNLL-70BAXA 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 128K X 16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62136VNLL-70BAXAT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 128K X 16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62136VNLL-70BIA 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY62136VNLL-70ZSXA 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 128K X 16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62136VNLL-70ZSXAT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 128K X 16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray