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參數(shù)資料
| 型號： | CY62128EV30LL-45ZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1 Mbit (128K x 8) Static RAM |
| 中文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 861K |
| 代理商： | CY62128EV30LL-45ZXI |
Document #: 38-05579 Rev. *C
Page 4 of 11
CY62128EV30 MoBL
Thermal Resistance
Parameter
Θ
JA
Description
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test Conditions
TSOP I
33.01
SOIC
48.67
STSOP
32.56
Unit
°C/W
Still Air, soldered on a 3 x 4.5 inch,
two-layer printed circuit board
Θ
JC
3.42
25.86
3.59
°C/W
AC Test Loads and Waveforms
Parameters
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50V
16667
15385
8000
1.20
3.0V
1103
1554
645
1.75
Unit
V
V
CC
V
CC
OUTPUT
R2
30 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
GND
90%
10%
90%
10%
Rise Time = 1 V/ns
Fall Time = 1 V/ns
OUTPUT
V
Equivalentto:
THEVENIN
EQUIVALENT
R
TH
ALL INPUT PULSES
R1
Data Retention Characteristics
(Over the Operating Range)
Parameter
Description
Conditions
Min
Typ
[3]
Max
Unit
V
DR
I
CCDR[7]
V
CC
for Data Retention
1.5
V
Data Retention Current
V
CC
= 1.5V,
CE
1
> V
CC
0.2V or CE
2
< 0.2V,
V
IN
> V
CC
0.2V or V
IN
< 0.2V
Ind’l/Auto-A
3
μ
A
Auto-E
30
μ
A
t
CDR[8]
Chip Deselect to Data Retention
Time
0
ns
t
R[9]
Operation Recovery Time
t
RC
ns
Data Retention Waveform
[10]
V
CC(min)
t
R
V
CC(min)
t
CDR
V
DR
> 1.5V
DATA RETENTION MODE
V
CC
CE
Notes:
9. Full device AC operation requires linear V
ramp from V
DR
to V
CC(min)
> 100
μ
s or stable at V
>
100
μ
s.
10.CE is the logical combination of CE
1
and CE
2
. When CE
1
2
is HIGH, CE is LOW; when CE
1
is HIGH or CE
2
is LOW, CE is HIGH.
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY62128EV30LL-55ZXE | 1 Mbit (128K x 8) Static RAM |
| CY62128E | 1-Mbit (128K x 8) Static RAM |
| CY62128ELL | 1-Mbit (128K x 8) Static RAM |
| CY62128ELL-45SXA | 1-Mbit (128K x 8) Static RAM |
| CY62128ELL-45SXI | 1-Mbit (128K x 8) Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY62128EV30LL-45ZXI_ | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
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| CY62128EV30LL-55EKI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY62128EV30LL-55EKJ | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY62128EV30LL-55SXE | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1-Mbit Static RAM 2.2-3.6V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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