參數(shù)資料
型號(hào)： CY62128EV30LL-45ZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 1 Mbit (128K x 8) Static RAM
中文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PDSO32
封裝： 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32
文件頁(yè)數(shù)： 11/11頁(yè)
文件大?。?/td> 861K
代理商： CY62128EV30LL-45ZXI
Document #: 38-05579 Rev. *C
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CY62128EV30 MoBL
Document History Page
Document Title: CY62128EV30 MoBL
1 Mbit (128K x 8) Static RAM
Document Number: 38-05579
REV.
ECN NO.
Issue Date Orig. of
Change
**
285473
See ECN
*A
461631
See ECN
Description of Change
PCI
NXR
New Data Sheet
Converted from Preliminary to Final
Removed 35 ns Speed Bin
Removed “L” version of CY62128EV30
Removed Reverse TSOP I package from Product offering.
Changed I
CC (Typ)
from 8 mA to 11 mA and I
CC (Max)
from 12 mA to 16 mA for f = f
max
Changed I
CC (max)
from 1.5 mA to 2.0 mA for f = 1 MHz
Changed I
SB2 (max)
from 1
μ
A to 4
μ
A
Changed I
SB2 (Typ)
from 0.5
μ
A to 1
μ
A
Changed I
CCDR (max)
from 1
μ
A to 3
μ
A
Changed the AC Test load Capacitance value from 50 pF to 30 pF
Changed t
LZOE
from 3 to 5 ns
Changed t
LZCE
from 6 to 10 ns
Changed t
HZCE
from 22 to 18 ns
Changed t
PWE
from 30 to 35 ns
Changed t
SD
from 22 to 25 ns
Changed t
LZWE
from 6 to 10 ns
Updated the Ordering Information table.
Updated the Block Diagram on page # 1
Added final Automotive-A and Automotive-E information
Added footnote #9 related to I
SB2
and I
CCDR
Updated Ordering Information table
*B
*C
464721
1024520
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NXR
VKN
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62128EV30LL-55ZXE 1 Mbit (128K x 8) Static RAM
CY62128E 1-Mbit (128K x 8) Static RAM
CY62128ELL 1-Mbit (128K x 8) Static RAM
CY62128ELL-45SXA 1-Mbit (128K x 8) Static RAM
CY62128ELL-45SXI 1-Mbit (128K x 8) Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62128EV30LL-45ZXI_ 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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